HY19P03D

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
HY19P03D Транзистор польовий MOSFET
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Місткість зворотний _x000D_ передавання (Crss) | 329 пФ |
| Артикул | 00-00082555 |
| Вхідна ємність (Ciss) | 4,787 нФ |
| Вихідна ємність (Coss) | 461 пФ |
| Заряд затвора (Qg) | 90 нКл за 10 В |
| Кількість | 1 |
| Корпус | TO-252-2 |
| Напруга стоток — джерела _x000D_ (Vds) | 30 В |
| Безперервний струм стоку _x000D_ (Id) | 90 А |
| Порогова напруга _x000D_ затвора (Vgs(th)) | 3 В |
| Розсіювана потужність _x000D_ (Pd) | 50 Вт |
| Опір _x000D_ відкритого каналу (RDS(on)) | 8 мОм за 4,5 В |
| Тип | P-канальний MOSFET |
| Тип каналу | P-канальний |
- Ціна: 78,80 ₴

