TPH1R403NL,L1Q(M

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
TPH1R403NL,L1Q(M Транзистор польовий MOSFET
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00082387 |
| Вхідна ємність (Ciss) | 4,4 нФ |
| Вихідна ємність (Coss) | 1,8 нФ |
| Кількість _x000D_ транзисторів | 1 |
| Корпус | DFN-8 (5 × 6 мм) |
| Максимальна _x000D_ розсіювана потужність (Pd) | 64 Вт |
| Максимальне _x000D_ напруга стік-висток (Vds) | 30 В |
| Максимальний _x000D_ постійний струм стоку (ID) | 150 А |
| Зворотна передавальна _x000D_ ємність (Crss) | 200 пФ |
| Повний заряд затвора _x000D_ (Qg) | 46 нКл при VGS = _x000D_ 10 В |
| Порогова напруга _x000D_ затвор-исток (VGS(th)) | 2,3 В |
| Опір _x000D_ відкритого каналу (RDS(on)) | 2,1 мОм при VGS = _x000D_ 4,5 В |
| Тип | N-канальний MOSFET |
- Ціна: 90 ₴

