STP19NM50N-VB MOSFET N-CH 650V 20A TO-220AB

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
STP19NM50N-VB Транзистор польовий MOSFET
MOSFET N-CH 650V 20A TO-220AB
| Додаткові характеристики | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00082194 |
| Вхідна ємність (Ciss) | 2.322 нФ |
| Вихідна ємність (Coss) | 1.054 нФ |
| Заряд затвора (Qg) | 106 нКл @ 10 В |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | TO-220AB |
| Максимальне _x000D_ напруга затвора-висток (Vgs) | ±30 В |
| Максимальний _x000D_ постійний струм стоку (Id) | 20 А |
| Напруга стік-висток _x000D_ (Vds) | 650 В |
| Зворотна передавальна _x000D_ ємність (Crss) | 84 пФ |
| Особливості | високовольтний _x000D_ MOSFET для імпульсних джерел живлення, інверторів і силової _x000D_ електроніки. |
| Порогова напруга _x000D_ затвора (Vgs(th)) | 4 В |
| Робоча температура | -55℃ ~ +150℃ |
| Розсіювана потужність _x000D_ (Pd) | 208 Вт |
| Опір _x000D_ відкритого каналу (RDS(on)) | 190 мΩ @ 10 В |
| Тип транзизора | N-Channel MOSFET |
- Ціна: 321,30 ₴

