IPP023N10N5-VB

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IPP023N10N5-VB Транзистор польовий MOSFET
| Додаткові характеристики | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00082371 |
| Вхідна ємність (Ciss) | 10 нФ |
| Вихідна ємність (Coss) | 2,025 нФ |
| Кількість _x000D_ транзисторів | 1 |
| Корпус | TO-220AB |
| Максимальна _x000D_ розсіювана потужність (Pd) | 120 Вт |
| Максимальне _x000D_ напруга стік-висток (Vds) | 100 В |
| Максимальний _x000D_ постійний струм стоку (ID) | 120 А |
| Зворотна передавальна _x000D_ ємність (Crss) | 165 пФ |
| Повний заряд затвора _x000D_ (Qg) | 76 нКл при VGS = _x000D_ 10 В |
| Порогова напруга _x000D_ затвор-исток (VGS(th)) | 4 В |
| Виробник | VBsemi Elec |
| Робоча температура | від -55 °C до +175 °C |
| Опір _x000D_ відкритого каналу (RDS(on)) | 5 мОм при VGS = 10 _x000D_ В |
| Тип | N-канальний MOSFET |
- Ціна: 186,30 ₴

