IPB065N15N3 G-VB

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IPB065N15N3 G-VB Транзистор польовий MOSFET
| Додаткові характеристики | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00082488 |
| Вхідна ємність _x000D_ (Ciss) | 6,5 нФ |
| Заряд затвора (Qg) | 75 нКл |
| Кількість | 1 N-канальний _x000D_ MOSFET |
| Корпус | TO-263-7L |
| Напруга стоток — джерела _x000D_ (Vds) | 150 В |
| Безперервний струм стоку _x000D_ (Id) | 160 А |
| Зворотна передавальна _x000D_ ємність (Crss) | 60 пФ |
| Порогова напруга _x000D_ затвор–исток (Vgs(th)) | 4,5 В |
| Робоча температура | -55…+175 °C |
| Розсіювана потужність _x000D_ (Pd) | 300 Вт |
| Опір _x000D_ відкритого каналу (RDS(on)) | 5 мОм @ 10 В |
| Тип | N-канальний MOSFET |
- Ціна: 228,80 ₴

