Кошик

HYG028N10NS1P N-канальний MOSFET: 100 В, 230 А, 300 Вт, корпус TO-220FB-3L

HYG028N10NS1P N-канальний MOSFET: 100 В, 230 А, 300 Вт, корпус TO-220FB-3L, фото 1

248,80 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴

  • В наявності
  • Код: 00-00081822
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
    Днем замовлення вважається той день
HYG028N10NS1P N-канальний MOSFET: 100 В, 230 А, 300 Вт, корпус TO-220FB-3LHYG028N10NS1P N-канальний MOSFET: 100 В, 230 А, 300 Вт, корпус TO-220FB-3L
248,80 ₴
В наявності
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
    Днем замовлення вважається той день
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
HYG028N10NS1P Транзистор польовий MOSFET
N-канальний MOSFET: 100 В, 230 А, 300 Вт, корпус TO-220FB-3L
Основні
ВиробникHUAYI
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
Артикул00-00081822
Вхідна ємність (Ciss)10,32 нФ
Вихідна ємність (Coss)3,454 нФ
Заряд затвора (Qg)176 нКл за 10 В
Кількість каналів1 N-канал
КорпусTO-220FB-3L
Напруга стік-висток100 В
Зворотна передавальна _x000D_ ємність (Crss)242 пФ
Порогова напруга _x000D_ затвора (Vgs(th))4 В
Постійний струм стоку _x000D_ (Id)230 А
Робоча температура−55℃…+175℃
Розсіювана потужність _x000D_ (Pd)300 Вт
Опір _x000D_ відкритого каналу (RDS(on))3,3 мОм за 10 В
ТипN-канальний
  • Ціна: 248,80 ₴