HYG007N03LS1C2

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
HYG007N03LS1C2 Транзистор польовий MOSFET
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Місткість зворотний _x000D_ передавання (Crss) | 94 пФ |
| Артикул | 00-00082511 |
| Вхідна ємність (Ciss) | 7,072 нФ |
| Заряд затвора (Qg) | 104 нКл @ 10 В |
| Кількість | 1 |
| Корпус | PDFN 5×6-8L |
| Напруга стік-висток _x000D_ (Vds) | 30 В |
| Безперервний струм стоку _x000D_ (Id) | 220 А |
| Порогова напруга _x000D_ затвор-исток (VGS(th)) | 2,4 В |
| Робоча температура | −55…+175 °C |
| Розсіювана потужність _x000D_ (Pd) | 75 Вт |
| Опір _x000D_ відкритого каналу (RDS(on)) | 1,2 мОм @ 4,5 В |
| Тип | N-канальний MOSFET |
- Ціна: 237,50 ₴

