C2M1000170D Транзистор: N-MOSFET: SiC: польовий: 1,7 кВ: 4,9 А: 69Вт

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
C2M1000170D Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET: SiC: польовий: 1,7 кВ: 4,9 А: 69Вт
| Додаткові характеристики | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 69W (Tc) |
| Місткість затвора, pF | 191 pF @ 1000 V |
| Артикул | 00-00071491 |
| Заряд затвора, nC | 13 nC @ 20 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | -10/+25V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 1700 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 4.9 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порога напруга на затворі, V | 4V @ 500µA |
| Опір каналу у відкритому стані, мОм | 1.1Ohm @ 2A 20V |
| Структура | N-Channel |
- Ціна: 1 796,30 ₴

