Кошик

C2M1000170D Транзистор: N-MOSFET: SiC: польовий: 1,7 кВ: 4,9 А: 69Вт

C2M1000170D Транзистор: N-MOSFET: SiC: польовий: 1,7 кВ: 4,9 А: 69Вт, фото 1

1 796,30 ₴

  • В наявності
  • Код: 00-00071491
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
    Днем замовлення вважається той день
C2M1000170D Транзистор: N-MOSFET: SiC: польовий: 1,7 кВ: 4,9 А: 69ВтC2M1000170D Транзистор: N-MOSFET: SiC: польовий: 1,7 кВ: 4,9 А: 69Вт
1 796,30 ₴
В наявності
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
    Днем замовлення вважається той день
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
C2M1000170D Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET: SiC: польовий: 1,7 кВ: 4,9 А: 69Вт
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
Pd — Розсіювана потужність69W (Tc)
Місткість затвора, pF191 pF @ 1000 V
Артикул00-00071491
Заряд затвора, nC13 nC @ 20 V
Макс. робоча температура,150
Максимальна напруга затворів-висток-10/+25V
Максимальна напруга стік-висток, В1700 V
Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А4.9
Мін. робоча температура,-55
МонтажTHT
Порога напруга на затворі, V4V @ 500µA
Опір каналу у відкритому стані, мОм1.1Ohm @ 2A 20V
СтруктураN-Channel
  • Ціна: 1 796,30 ₴