Кошик

AP30P03D -55℃~+150℃, 1 P-Channel, 1.345nF, [email protected], 30A, 32mΩ@4.5V, 34.7W, TO-252-3 MOSFETs

AP30P03D -55℃~+150℃, 1 P-Channel, 1.345nF, [email protected], 30A, 32mΩ@4.5V, 34.7W, TO-252-3 MOSFETs, фото 1

42,50 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴

  • В наявності
  • Код: 00-00082299
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
    Днем замовлення вважається той день
AP30P03D -55℃~+150℃, 1 P-Channel, 1.345nF, [email protected], 30A, 32mΩ@4.5V, 34.7W, TO-252-3 MOSFETsAP30P03D -55℃~+150℃, 1 P-Channel, 1.345nF, [email protected], 30A, 32mΩ@4.5V, 34.7W, TO-252-3 MOSFETs
42,50 ₴
В наявності
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
    Днем замовлення вважається той день
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
AP30P03D Транзистор польовий MOSFET
-55℃~+150℃, 1 P-Channel, 1.345nF, [email protected] , 30A, 32mΩ@4.5V, 34.7W, TO-252-3 MOSFETs
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
Артикул00-00082299
Вхідна ємність (Ciss)1,345 нФ
Вихідна ємність (Coss)194 пФ
Заряд затвора (Qg)12,5 нКл за VGS = 4,5 В
Кількість каналів1 P-канал
КорпусTO-252-3
Напруга стік-висток _x000D_ (Vds)30 В
Зворотна передавальна _x000D_ ємність (Crss)158 пФ
Порогова напруга _x000D_ затвора (Vgs(th))2,5 В
Постійний струм стоку _x000D_ (Id)30 А
ВиробникA Power Microelectronics
Робоча температуравід -55 °C до +150 °C
Розсіювана потужність _x000D_ (Pd)34,7 Вт
Опір _x000D_ відкритого каналу (RDS(on))32 мОм при VGS = _x000D_ 4,5 В
Тип транзизораP-канальний MOSFET
  • Ціна: 42,50 ₴