NCE50TD120VTP Транзистор IGBT+Diode, 535Вт, 1200В, 100А, TO-247P
371,30 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00077653
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
NCE50TD120VTP Транзистор IGBT+Diode, 535Вт, 1200В, 100А, TO-247P
371,30 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
NCE50TD120VTP Транзистор IGBT
Транзистор IGBT+Diode, 535Вт, 1200В, 100А, TO-247P
| Додаткові характеристики | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00077653 |
| Час наростання | 17 nS |
| Вихідна місткість | 220 pF |
| Максимальна _x000D_ розсіювана потужність | 535 W |
| Максимальна _x000D_ температура переходу | 175 ℃ |
| Максимально _x000D_ допустима напруга іміттер-закрив | 30 V |
| Максимальне _x000D_ порогонова напруга затвора-емітер | 6 V |
| Максимальний _x000D_ постійний струм колектора | 100 A @25℃ |
| Напруга насичення _x000D_ колектор-емітер | 1.7 V @25℃ |
| Загальний заряд затвора | 370 nC |
| Гранично-допустиме _x000D_ напруга колектор-емітер | 1200 V |
| Тип корпусу | TO247P |
| Тип транзизора | IGBT + Diode |
| Тип керівного _x000D_ каналу | N |
- Ціна: 371,30 ₴
