C2M0080120D Транзистор: N-MOSFET, SiC, польовий, 1,2 кВ, 36А, 208Вт

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
C2M0080120D Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, SiC, польовий, 1,2 кВ, 36А, 208Вт
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | CREE |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00070966 |
| Тип каналу | збагачений |
| Час готовності | 32нс |
| Заряд затвора | 62нC |
| Корпус | TO-247-3 |
| Монтаж | THT |
| Напруга _x000D_ Затвор-висток | -10...25В |
| Напруга _x000D_ стік-висток | 1,2кВ |
| Полярність | польовою |
| Розсіювана _x000D_ потужність | 208Вт |
| Опір у _x000D_ відкритому стані | 80 мОм |
| Технологія | SiC, Z-FET™ |
| Тип транзизора | N-MOSFET |
| Ток стока | 36А |
- Ціна: 2 137,50 ₴

