FGH40T65SPD-F155 IGBT транзистор, 80 А, 1.85 В, 267 Вт, 650 В
1 172,50 ₴
- В наявності
- Код: 00-00062197
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
FGH40T65SPD-F155 IGBT транзистор, 80 А, 1.85 В, 267 Вт, 650 В
1 172,50 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
FGH40T65SPD-F155 Транзистор IGBT
IGBT транзистор, 80 А, 1.85 В, 267 Вт, 650 В
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — розсіювання потужності | 267 W |
| Артикул | 00-00062197 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категорія продукту | Біполярні транзистори з ізольованим закривом (IGBT) |
| Конфігурація | Single |
| Максимальна напруга затвор-емітер | 20 V |
| Напруга колектор-емітер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напруга насичення колектор-емітер | 2.51 V |
| Безперервний колекторний струм за 25 °C | 80 A |
| Безперервний струм колектора Ic, макс. | 40 A |
| Робоча температура | - 55 ... + 175 C |
| Технологія | Si |
| Тип корпусу | TO-247-3 |
| Струм витоку затвор-емітер | 400 nA |
- Ціна: 1 172,50 ₴
