IPB017N10N5ATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 180А, 375Вт, PG-TO263-7
917,50 ₴
- В наявності
- Код: 00-00064891
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IPB017N10N5ATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 180А, 375Вт, PG-TO263-7
917,50 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IPB017N10N5ATMA1 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 180А, 375Вт, PG-TO263-7
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00064891 |
| Тип каналу | збагачений |
| Корпус | PG-TO263-7 |
| Монтаж | SMD |
| Напруга затвора-висток | ±20 В |
| Напруга стік-висток | 100 В |
| Полярність | польовою |
| Розсіювана потужність | 375 Вт |
| Опір у відкритому стані | 1,7мОм |
| Технологія | OptiMOS™ 5 |
| Тип транзизора | N-MOSFET |
| Ток стока | 180 А |
- Ціна: 917,50 ₴
