IKW50N65ET7XKSA1 IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 273 Вт, 650 В, TO-247

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IKW50N65ET7XKSA1 Транзистор IGBT
IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 273 Вт, 650 В, TO-247
| Додаткові характеристики | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — розсіювання мощности | 273 W |
| Артикул | 00-00067950 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Конфігурація | Single |
| Максимальна робоча температура | + 175 C |
| Максимальне напруга затвора-емітер | 20 V |
| Мінімальна робоча температура | - 40 C |
| Напруга колектор-емітер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напруга насичення колектор-емітер | 1.65 V |
| Безперервний колекторний струм за 25 °C | 80 A |
| Серія | Trenchstop IGBT7 |
| Технологія | Si |
| Струм витоку закрив-емітер | 100 nA |
- Ціна: 830 ₴

