RJP65T43DPQ-A0#T2 Транзистор IGBT Trench 650 В 60 A 150 Вт

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
RJP65T43DPQ-A0#T2 Транзистор IGBT
Транзистор IGBT Trench 650 В 60 A 150 Вт
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — розсіювання _x000D_ мощности | 150 W |
| Артикул | 00-00071294 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Конфігурація | Single |
| Максимальне _x000D_ напруга затвора-емітер | - 20 V, 20 V |
| Напруга _x000D_ колектор-емітер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напруга насичення _x000D_ колектор-емітер | 1.8 V |
| Безперервний _x000D_ колекторний струм за 25 °C | 60 A |
| Безперервний струм _x000D_ колектора Ic, макс. | 60 A |
| Робоча температура | - 55 C ... + 175 _x000D_ C |
| Технологія | Si |
| Ток утечки _x000D_ закрив-емітер | +/- 1 uA |
| Чутливий до _x000D_ влажности | Да |
| Тип корпусу | TO-247A-3 |
- Ціна: 708,75 ₴

