HGTG12N60A4D IGBT транзистор, 54 А, 2.7 В, 167 Вт, 600 В

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
HGTG12N60A4D Транзистор IGBT
IGBT транзистор, 54 А, 2.7 В, 167 Вт, 600 В
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — розсіювана _x000D_ потужність | 167 Вт |
| Артикул | 00-00032675 |
| Конфігурація | Одинична |
| Корпус | ТО-247-3 |
| Максимальна робоча _x000D_ температура | + 150 °C |
| Максимальне _x000D_ напруга затвора-емітер | - 20 В, 20 В |
| Мінімальна робоча _x000D_ температура | - 55 С. |
| Монтаж | Наскрізне _x000D_ отвір |
| Напруга _x000D_ колектор-емітер VCEO Макс. | 600 В |
| Напруга насичення _x000D_ колектор-емітер | 2 В |
| Безперервний струм _x000D_ колектора | 60 А |
| Безперервний струм _x000D_ колектора Ic Макс. | 54 А |
| Безперервний струм _x000D_ колектора за 25 °C | 54 А |
| Продукт | IGBT-транзистори |
| Ток утечки _x000D_ закрив-емітер | +/- 250 нА |
- Ціна: 700 ₴

