IR2010PBF Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nніжн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout + 3000 мА: Iout- 3000 мА: Опції: Вхід скидання,
![IR2010PBF Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nніжн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout + 3000 мА: Iout- 3000 мА: Опції: Вхід скидання,, фото 1](https://images.prom.ua/7450497395_ir2010pbf-drajver-fet-igbt.jpg)
700 ₴
- В наявності
- Код: 00-00025848
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IR2010PBF Драйвери IGBT/MOSFET
Драйвер FET-IGBT - [DIP-14]: Nніжн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout + 3000 мА: Iout- 3000 мА: Опції: Вхід скидання, Силові / сигнальні ланцюга
| Основні атрибути | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00025848 |
| Тип мікросхеми | high-/low-side, _x000D_ контролер затвора |
| Час увімкнення | 95нс |
| Час вимкнення | 65нс |
| Вихідний струм | -3...3А |
| Клас напруги | 200 В |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | DIP14 |
| Монтаж | THT |
| Потужність | 1,6 Вт |
| Напруга живлення | 10...20В DC |
| Робоча температура | -40...125°C |
| Тип мікросхеми | driver |
| Топологія | полумост MOSFET |
| Характеристики _x000D_ інтегральних схем | integrated bootstrap _x000D_ functionality,генератор підкачування заряду,мертвий час |
- Ціна: 700 ₴

