RJH65T14DPQ-A0#T0 Транзистор IGBT Trench 650 В 100 А 250 Вт

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
RJH65T14DPQ-A0#T0 Транзистор IGBT
Транзистор IGBT Trench 650 В 100 А 250 Вт
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — розсіювання _x000D_ мощности | 250 W |
| Артикул | 00-00071183 |
| Конфігурація | Single |
| Максимальне _x000D_ напруга затвора-емітер | - 20 V, 20 V |
| Мінімальна робоча _x000D_ температура | - 55 C ... + 175 _x000D_ C |
| Напруга _x000D_ колектор-емітер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напруга насичення _x000D_ колектор-емітер | 1.45 V |
| Безперервний _x000D_ колекторний струм за 25 °C | 100 A |
| Безперервний струм _x000D_ колектора Ic, макс. | 100 A |
| Технологія | Si |
| Тип корпусу | TO-247A-3 |
| Ток утечки _x000D_ закрив-емітер | +/- 1 uA |
- Ціна: 577,50 ₴

