STB11NK50ZT4 MOSFET силовий транзистор - [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 10 А: Rсі (вкл): 0.48 Ом: @ Uзатв (ном): 10

542,50 ₴

+380 (97) 037-75-90

або пишіть на і-мейл або чат

542,50 ₴

В наявності

+380 (97) 037-75-90

або пишіть на і-мейл або чат

+380 (97) 037-75-90або пишіть на і-мейл або чат
+380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
+380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
Днем замовлення вважається той день, коли підтвердили менеджеру! А не той день, коли оформили замовл
вул Академіка Павлова 120, Харків, Україна

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця

Опис

Характеристики

Інформація для замовлення

STB11NK50ZT4 Транзистор польовий MOSFET

MOSFET силовий транзистор - [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 10 А: Rсі (вкл): 0.48 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В: Uзатв ( макс): 30 В

Основні
Виробник	STMicroelectronics
Додаткові характеристики
Стан	Новий
Користувальницькі характеристики
Rds включен (макс.) _x000D_ @ Id, Vgs	520 мОм при 4,5 _x000D_ А, 10 В
Vgs (th) (Макс) @ Id	4,5 В @ 100 мкА
Артикул	00-00031190
ВГС (Макс)	±30 В
Вхідна ємність (СНПЧ) _x000D_ (макс.) @ Vds	1390 пФ за 25 В
Заряд затвора (Qg) _x000D_ (Макс.) @ Vgs	68 НК за 10 В
Корпус	TO-263-3
Напруга приводу	10 В
Напруга стока до _x000D_ джерелу (Vdss)	500 В
Продукт	МОП-транзистор
Робоча температура	-55°C ~ 150°C _x000D_ (ТДж)
Розсіювана _x000D_ потужність (макс.)	125 Вт (Тс)
Тип полевого _x000D_ транзистори	N-канал
Струм — безперервний _x000D_ стік (Id) за 25 °C	10 А (Тс)