SIHG17N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 10А, Idm: 32А, 179Вт, TO247AC
503,75 ₴
- В наявності
- Код: 00-00075206
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
SIHG17N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 10А, Idm: 32А, 179Вт, TO247AC
503,75 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SIHG17N80AE-GE3 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 10А, Idm: 32А, 179Вт, TO247AC
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00075206 |
| Тип каналу | збагачений |
| Заряд затвора | 62нC |
| Корпус | TO247AC |
| Монтаж | THT |
| Напруга _x000D_ Затвор-висток | ±30В |
| Напруга _x000D_ стік-висток | 800 В |
| Полярність | польовою |
| Розсіювана _x000D_ потужність | 179 Вт |
| Опір у _x000D_ відкритому стані | 0,29Ом |
| Тип транзизора | N-MOSFET |
| Ток стока | 10А |
| Ток стока в _x000D_ імпульсному режимі | 32А |
- Ціна: 503,75 ₴
