Кошик

SIHA15N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 4А, Idm: 29А, 33Вт, TO220FP

SIHA15N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 4А, Idm: 29А, 33Вт, TO220FP, фото 1

401,25 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴

  • В наявності
  • Код: 00-00074672
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
    Днем замовлення вважається той день
SIHA15N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 4А, Idm: 29А, 33Вт, TO220FPSIHA15N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 4А, Idm: 29А, 33Вт, TO220FP
401,25 ₴
В наявності
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
    Днем замовлення вважається той день
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SIHA15N80AE-GE3 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 4А, Idm: 29А, 33Вт, TO220FP
Основні
ВиробникVishay Intertechnology
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
Артикул00-00074672
Вид монтажаThrough Hole
Заряд затвора53 nC
Кількість каналів1 Channel
Максимальна робоча _x000D_ температура+ 150 C
Мінімальна робоча _x000D_ температура- 55 C
Напруга _x000D_ Затвор-висток- 30 V, + 30 V
Напруга пробою _x000D_ стік-висток800 V
Безперервний струм _x000D_ утечки6 A
Полярність _x000D_ транзизораN-Channel
Порогова напруга _x000D_ Затвор-висток4 V
Розсіювання потужності33 W
Опір _x000D_ стік-висток350 mOhms
ТехнологіяSi
  • Ціна: 401,25 ₴