SGT75T65SDM1P7 416 Вт, 650 В, 150 А
360 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00074480
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
SGT75T65SDM1P7 416 Вт, 650 В, 150 А
360 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SGT75T65SDM1P7 Транзистор IGBT
416 Вт, 650 В, 150 А
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00074480 |
| Час наростання (tr), _x000D_ тип., НС | 42 |
| Ємність колектора (Cc), _x000D_ тип., пФ | 300 |
| Максимальна _x000D_ розсіювана потужність (Pc), Вт | 416 |
| Максимальна _x000D_ температура переходу (Tj), °C | 150 |
| Максимальне _x000D_ напруга затвора-емітер | Vge|, В | 20 |
| Максимальне _x000D_ напруга колектор-емітер | Vce|, В | 650 |
| Максимальне _x000D_ порогува напруга GE | Vge (th) |, В | 7 |
| Максимальний струм _x000D_ колектора | Ic| за 25 °C, А | 150 |
| Напруга насичення _x000D_ колектор-емітер | Vce(sat)|, тип., В | 1,65 |
| Загальний заряд затвора _x000D_ (Qg), тип, нКл | 180 |
| Тип каналу IGBT | N |
| Тип корпусу | TO247 |
- Ціна: 360 ₴
