GT50JR21 Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
GT50JR21 Транзистор IGBT
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | TOS |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — розсіювання _x000D_ мощности | 230 W |
| Артикул | 00-00073183 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Конфігурація | Single |
| Максимальна робоча _x000D_ температура | + 175 C |
| Максимальне _x000D_ напруга затвора-емітер | - 25 V, 25 V |
| Мінімальна робоча _x000D_ температура | - 55 C |
| Напруга _x000D_ колектор-емітер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напруга насичення _x000D_ колектор-емітер | 1.45 V |
| Безперервний _x000D_ колекторний струм за 25 °C | 50 A |
| Безперервний струм _x000D_ колектора Ic, макс. | 100 A |
| Серія | GT50JR21 |
| Ток утечки _x000D_ закрив-емітер | 100 nA |
- Ціна: 321,25 ₴

