SGT25U120FD1P7 IGBT + Diode, N, 278 W, Vce: 1200 V, Ic: 50 A, 128 pF
320 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00076662
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
SGT25U120FD1P7 IGBT + Diode, N, 278 W, Vce: 1200 V, Ic: 50 A, 128 pF
320 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SGT25U120FD1P7 Транзистор IGBT
IGBT + Diode, N, 278 W, Vce: 1200 V, Ic: 50 A, 128 pF
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00076662 |
| Час наростання _x000D_ типове | 30 nS |
| Вихідна ємність, _x000D_ типова | 85 pF |
| Максимальна _x000D_ розсіювана потужність | 278 W |
| Максимальна _x000D_ температура переходу | 150 ℃ |
| Максимально _x000D_ допустима напруга іміттер-закрив | 20 V |
| Максимальне _x000D_ порогонова напруга затвора-емітер | 7.8 V |
| Максимальний _x000D_ постійний струм колектора | 50 A @25℃ |
| Напруга насичення _x000D_ колектор-емітер — типове | 2.2 V @25℃ |
| Загальний заряд затвора, _x000D_ typ | 91 nC |
| Гранично-допустиме _x000D_ напруга колектор-емітер | 1200 V |
| Тип транзизора | IGBT + Diode |
| Тип керівного _x000D_ каналу | N |
- Ціна: 320 ₴
