JT075N065WED IGBT + Diode. N. 539 W. 27.4 nC. 40 nS

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
JT075N065WED Транзистор IGBT
IGBT + Diode. N. 539 W. 27.4 nC. 40 nS
| Додаткові характеристики | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00076388 |
| Час наростання _x000D_ типове | 40 nS |
| Вихідна ємність, _x000D_ типова | 430 pF |
| Максимальна _x000D_ розсіювана потужність | 539 W |
| Максимальна _x000D_ температура переходу | 150 ℃ |
| Максимально _x000D_ допустима напруга іміттер-закрив | 20 V |
| Максимальне _x000D_ порогонова напруга затвора-емітер | 6.5 V |
| Максимальний _x000D_ постійний струм колектора | 150 A @25℃ |
| Напруга насичення _x000D_ колектор-емітер — типове | 1.75 V @25℃ |
| Загальний заряд затвора, _x000D_ typ | 27.4 nC |
| Гранично-допустиме _x000D_ напруга колектор-емітер | 650 V |
| Тип транзизора | IGBT + Diode |
| Тип керівного _x000D_ каналу | N |
- Ціна: 312,50 ₴

