SI4925DDY-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET, польовий, -30В, -8А, 5Вт, SO8
301,25 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00053004
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
SI4925DDY-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET, польовий, -30В, -8А, 5Вт, SO8
301,25 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SI4925DDY-T1-GE3 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: P-MOSFET, польовий, -30В, -8А, 5Вт, SO8
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — розсіювання потужності | 2.5 W |
| Qg - заряд затвора | 32 nC |
| Rds Вмик — опір стік-висток | 29 mOhms |
| Vds — напруга пробою стік-висток | - 30 V |
| Vgs — напруга затвор-висток | 20 V |
| Vgs th — порожева напруга затвора-висток | 3 V |
| Артикул | 00-00053004 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Час наростання | 8 ns, 35 ns |
| Час спаду | 12 ns, 16 ns |
| Канальний режим | Enhancement |
| Категорія продукту | МОП-транзистор |
| Кількість каналів | 2 Channel |
| Конфігурація | Dual Dual Drain |
| Полярність транзизора | P-Channel |
| Робоча температура | -55...150 C |
| Технологія | Si |
| Тип корпусу | SOIC-8 |
| Типовий час затримки вимкнення | 45 ns, 40 ns |
| Типовий час затримки під час увімкнення | 10 ns, 42 ns |
| Ток стока | -8 A |
- Ціна: 301,25 ₴
