Кошик

IPD082N10N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 80А, 125Вт

IPD082N10N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 80А, 125Вт, фото 1

236,25 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴

  • В наявності
  • Код: 00-00054702
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
    Днем замовлення вважається той день
IPD082N10N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 80А, 125ВтIPD082N10N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 80А, 125Вт
236,25 ₴
В наявності
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
    Днем замовлення вважається той день
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IPD082N10N3GATMA1 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 80А, 125Вт
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
Артикул00-00054702
КорпусPG-TO252-3
МонтажSMD
Потужність125 Вт
Напруга затвора-висток±20 В
Напруга стік-висток100 В
Полярністьпольовою
Опір у відкритому стані8,2 мОм
Тип транзизораN-MOSFET
Ток стока80 А
  • Ціна: 236,25 ₴