IPD082N10N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 80А, 125Вт
228,75 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00054702
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IPD082N10N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 80А, 125Вт
228,75 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IPD082N10N3GATMA1 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 80А, 125Вт
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00054702 |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Монтаж | SMD |
| Потужність | 125 Вт |
| Напруга затвора-висток | ±20 В |
| Напруга стік-висток | 100 В |
| Полярність | польовою |
| Опір у відкритому стані | 8,2 мОм |
| Тип транзизора | N-MOSFET |
| Ток стока | 80 А |
- Ціна: 228,75 ₴
