NCE60TD65BT IGBT + Diode, 319Вт, 650В, 120А, TO247

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
NCE60TD65BT Транзистор IGBT
IGBT + Diode, 319Вт, 650В, 120А, TO247
| Додаткові характеристики | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00075416 |
| Час наростання _x000D_ типове (tr), nS | 17 |
| Ємність колектора _x000D_ типова (Cc), pf | 199 |
| Максимальна _x000D_ розсіювана потужність (Pc), W | 319 |
| Максимальна _x000D_ температура переходу (Tj), °C | 175 |
| Максимально _x000D_ допустима напруга іміттер-закрива | Vge|, V | 30 |
| Максимальне _x000D_ порогува напруга затвора-емітер | VGE(th)|, V | 6 |
| Максимальний _x000D_ постійний струм колектора | Ic| @25 °C, A | 120 |
| Напруга насичення _x000D_ колектор-емітер — типовий | VCE (sat)|, V | 1.6 |
| Загальний заряд затвора _x000D_ (Qg), typ, nC | 262 |
| Гранично-допустиме _x000D_ напруга колектор-емітер | Vce|, V | 650 |
| Тип корпусу | TO247 |
| Тип транзизора | IGBT + Diode |
| Тип керівного _x000D_ каналу | N |
- Ціна: 198,75 ₴

