TC6320K6-G Mosfet Array N and P-Channel 200V

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
TC6320K6-G Транзистор польовий MOSFET
Mosfet Array N and P-Channel 200V
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Microchip |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Id — безперервний струм витоку | 1 A |
| Rds Вмик — опір стік-висток | 7 Ohms, 8 Ohms |
| Vds — напруга пробою стік-висток | 200 V |
| Vgs — напруга затвор-висток | 10 V |
| Vgs th — порожева напруга затвора-висток | 1 V |
| Артикул | 00-00060319 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Час наростання | 15 ns, 15 ns |
| Час спаду | 15 ns, 15 ns |
| Канальний режим | Enhancement |
| Категорія продукту | МОП-транзистор |
| Кількість каналів | 2 Channel |
| Конфігурація | Dual |
| Крутість характеристики прямого передавання — Мін. | 400 mS, 400 mS |
| Полярність транзизора | N-Channel, P-Channel |
| Робоча температура | - 55 ... + 150 C |
| Технологія | Si |
| Тип корпусу | DFN-8 |
| Тип транзизора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Типовий час затримки вимкнення | 20 ns, 20 ns |
| Типовий час затримки під час увімкнення | 10 ns, 10 ns |
| Чутливий до вологості | Да |
- Ціна: 195 ₴

