SGT50T65FD1P7 235 Вт, 650 В, 100 А
156,25 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00074483
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
SGT50T65FD1P7 235 Вт, 650 В, 100 А
156,25 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SGT50T65FD1P7 Транзистор IGBT
235 Вт, 650 В, 100 А
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00074483 |
| Час наростання _x000D_ типове (tr), nS | 145 |
| Ємність колектора _x000D_ типова (Cc), pf | 90 |
| Максимальна _x000D_ розсіювана потужність (Pc), W | 235 |
| Максимальна _x000D_ температура переходу (Tj), °C | 150 |
| Максимально _x000D_ допустима напруга іміттер-закрива | Vge|, V | 20 |
| Максимальне _x000D_ порогува напруга затвора-емітер | VGE(th)|, V | 6.5 |
| Максимальний _x000D_ постійний струм колектора | Ic| @25 °C, A | 100 |
| Напруга насичення _x000D_ колектор-емітер — типовий | VCE (sat)|, V | 2.2 |
| Загальний заряд затвора _x000D_ (Qg), typ, nC | 145 |
| Гранично-допустиме _x000D_ напруга колектор-емітер | Vce|, V | 650 |
| Тип корпусу | TO247 |
| Тип керівного _x000D_ каналу | N |
- Ціна: 156,25 ₴
