AONR66924 N-Channel 100 V 13A (Ta), 32A (Tc) 5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

132,50 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00078192
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
AONR66924 Транзистор польовий MOSFET
N-Channel 100 V 13A (Ta), 32A (Tc) 5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
| Додаткові характеристики | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00078192 |
| Вхідна ємність (Ciss, _x000D_ макс.) @ Vds | 1450 пФ @ 50 В |
| Заряд затвора (Qg, _x000D_ макс.) @ Vgs | 40 нКл @ 10 В |
| Максимальне _x000D_ напруга затвора (Vgs, макс.) | ±20 В |
| Напруга стік-висток _x000D_ (Vdss) | 100 В |
| Порогова напруга _x000D_ затвора (Vgs(th), макс.) @ Id | 2.6 В @ 250 мкА |
| Постійний струм стоку _x000D_ (Id) @ 25°C | 13 А (Ta), 32 А (Tc) |
| Розсіювана потужність _x000D_ (макс.) | 5 Вт (Ta), 30 Вт (Tc) |
| Опір _x000D_ стік-висток (Rds On, макс.) @ Id, Vgs | 13.5 мОм @ 20 А, _x000D_ 10 В |
| Температурний _x000D_ діапазон експлуатації | -55°C ~ 150°C (Tj) |
| Технологія | MOSFET (Metal _x000D_ Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) |
| Тип FET | N-канальний |
| Тип корпусу | 8-DFN-EP (3x3) |
| Тип монтажа | Поверхневий _x000D_ монтаж |
| Керувальний _x000D_ напруга (Vgs) для максимального та мінімального Rds On | 4.5 В, 10 В |
- Ціна: 132,50 ₴

