SGT50T65FD1PN Транзистор IGBT 650V 50A/100A

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SGT50T65FD1PN Транзистор IGBT
Транзистор IGBT 650V 50A/100A
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00072655 |
| Вбудований діод | наявний |
| Макс. потужність розсіювання на колекторі за t = 25 °C | 235 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-емітер | ±20 В |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимальний прямий струм діода | 25А |
| Максимальний струм колектора в відтінках.стою під час t = 100 °C | 50А |
| Максимальний струм колектора в відтінках.стою під час t = 25 °C | 100А |
| Тип корпусу | TO-3P |
| Струм колектора в імпульсі | 150 А |
- Ціна: 123,75 ₴

