IRF7406PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P: Uси: 30 В: Rсі (вкл): 45 ... 70 мом: @ Uзатв (ном): 4.5 ... 10 В:
![IRF7406PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P: Uси: 30 В: Rсі (вкл): 45 ... 70 мом: @ Uзатв (ном): 4.5 ... 10 В:, фото 1](https://images.prom.ua/7440574891_irf7406pbf-mosfet-silovij.jpg)
115 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00031841
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IRF7406PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P: Uси: 30 В: Rсі (вкл): 45 ... 70 мом: @ Uзатв (ном): 4.5 ... 10 В:
![IRF7406PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P: Uси: 30 В: Rсі (вкл): 45 ... 70 мом: @ Uзатв (ном): 4.5 ... 10 В:](https://images.prom.ua/7440574891_w640_h640_irf7406pbf-mosfet-silovij.jpg)
115 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IRF7406PBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P: Uси: 30 В: Rсі (вкл): 45 ... 70 мом: @ Uзатв (ном): 4.5 ... 10 В: Uзатв (макс) : 20 В: Qзатв: 39.3 нКл
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Id — безперервний струм витоку | - 5.8 A |
| Pd — розсіювання потужності | 2.5 W |
| Qg - заряд затвора | 59 nC |
| Rds Вмик — опір стік-висток | 70 mOhms |
| Vds — напруга пробою стік-висток | - 30 V |
| Vgs — напруга затвор-висток | 20 V |
| Vgs th — порожева напруга затвора-висток | - 1 V |
| Артикул | 00-00031841 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Час наростання | 33 ns |
| Час спаду | 47 ns |
| Висота | 1.75 mm |
| Довжина | 4.9 mm |
| Інші назви товару No | SP001551328 |
| Канальний режим | Enhancement |
| Категорія продукту | МОП-транзистор |
| Кількість каналів | 1 Channel |
| Конфігурація | Single Quad Drain Triple Source |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна робоча температура | + 150 C |
| Мінімальна робоча температура | - 55 C |
| Полярність транзизора | P-Channel |
| Технологія | Si |
| Тип | HEXFET Power MOSFET |
| Тип транзизора | 1 P-Channel |
| Типовий час затримки вимкнення | 45 ns |
| Типовий час затримки під час увімкнення | 16 ns |
| Ширина | 3.9 mm |
- Ціна: 115 ₴
