IRF7493PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 80 В: Rсі (вкл): 15 мом: @ Uзатв (ном): 10 В: Uзатв (макс): 20

105 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴

+380 (97) 037-75-90

або пишіть на і-мейл або чат

105 ₴

В наявності

+380 (97) 037-75-90

або пишіть на і-мейл або чат

+380 (97) 037-75-90або пишіть на і-мейл або чат
+380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
+380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
Днем замовлення вважається той день, коли підтвердили менеджеру! А не той день, коли оформили замовл
вул Академіка Павлова 120, Харків, Україна

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця

Опис

Характеристики

Інформація для замовлення

IRF7493PBF Транзистор польовий MOSFET

MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 80 В: Rсі (вкл): 15 мом: @ Uзатв (ном): 10 В: Uзатв (макс): 20 В: Qзатв: 31 нКл

Основні
Виробник	Infineon
Додаткові характеристики
Стан	Новий
Користувальницькі характеристики
Id — безперервний струм витоку	9.2 A
Pd — розсіювання потужності	2.5 W
Qg - заряд затвора	31 nC
Rds Вмик — опір стік-висток	15 mOhms
Vds — напруга пробою стік-висток	80 V
Vgs — напруга затвор-висток	20 V
Артикул	00-00031869
Вид монтажа	SMD/SMT
Час наростання	7.5 ns
Час спаду	12 ns
Висота	1.75 mm
Довжина	4.9 mm
Інші назви товару No	SP001555476
Канальний режим	Enhancement
Категорія продукту	МОП-транзистор
Кількість каналів	1 Channel
Конфігурація	Single Quad Drain Triple Source
Корпус	SO-8
Максимальна робоча температура	+ 150 C
Мінімальна робоча температура	- 55 C
Полярність транзизора	N-Channel
Технологія	Si
Тип	HEXFET Power MOSFET
Типовий час затримки вимкнення	30 ns
Типовий час затримки під час увімкнення	8.3 ns
Ширина	3.9 mm