IRLD024PBF Тип: N: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 20 А: @ Uзатв (ном): 1.2 В: Uзатв (макс): 10 В: Qзатв: 18 нКл

IRLD024PBF Тип: N: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 20 А: @ Uзатв (ном): 1.2 В: Uзатв (макс): 10 В: Qзатв: 18 нКл, фото 1

97,50 ₴

  • В наявності
  • Код: 00-00032352

Компанія тимчасово не приймає замовлення

IRLD024PBF Тип: N: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 20 А: @ Uзатв (ном): 1.2 В: Uзатв (макс): 10 В: Qзатв: 18 нКлIRLD024PBF Тип: N: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 20 А: @ Uзатв (ном): 1.2 В: Uзатв (макс): 10 В: Qзатв: 18 нКл
97,50 ₴
В наявності
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IRLD024PBF Транзистор польовий MOSFET
Тип: N: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 20 А: @ Uзатв (ном): 1.2 В: Uзатв (макс): 10 В: Qзатв: 18 нКл
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
Артикул00-00032352
Вид монтажаThrough Hole
Заряд затвора18 nC
Кількість каналів1 Channel
Максимальна робоча _x000D_ температура+ 175 C
Мінімальна робоча _x000D_ температура- 55 C
Напруга _x000D_ Затвор-висток- 10 V, + 10 V
Напруга пробою _x000D_ стік-висток60 V
Безперервний струм _x000D_ утечки2.5 A
Полярність _x000D_ транзизораN-Channel
Порогова напруга _x000D_ Затвор-висток1 V
Розсіювання потужності1.3 W
Опір _x000D_ стік-висток100 mOhms
ТехнологіяSi
  • Ціна: 97,50 ₴