AONR66620 N-Channel 60 V 17.5A (Ta), 24A (Tc) 5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

88,75 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00078190
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
AONR66620 Транзистор польовий MOSFET
N-Channel 60 V 17.5A (Ta), 24A (Tc) 5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
| Додаткові характеристики | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00078190 |
| Вхідна ємність (Ciss, _x000D_ макс.) @ Vds | 1070 пФ @ 30 В |
| Заряд затвора (Qg, _x000D_ макс.) @ Vgs | 25 нКл @ 10 В |
| Максимальне _x000D_ напруга затвора (Vgs, макс.) | ±20 В |
| Напруга стік-висток _x000D_ (Vdss) | 60 В |
| Порогова напруга _x000D_ затвора (Vgs(th), макс.) @ Id | 3.6 В @ 250 мкА |
| Постійний струм стоку _x000D_ (Id) @ 25°C | 17.5 А (Ta), 24 А _x000D_ (Tc) |
| Розсіювана потужність _x000D_ (макс.) | 5 Вт (Ta), 27 Вт (Tc) |
| Опір _x000D_ стік-висток (Rds On, макс.) @ Id, Vgs | 9.1 мОм @ 20 А, 10 _x000D_ В |
| Температурний _x000D_ діапазон експлуатації | -55°C ~ 150°C (Tj) |
| Технологія | MOSFET (Metal _x000D_ Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) |
| Тип FET | N-канальний |
| Тип корпусу | 8-DFN-EP (3x3) |
| Тип монтажа | Поверхневий _x000D_ монтаж |
| Керувальний _x000D_ напруга (Vgs) для максимального та мінімального Rds On | 8 В, 10 В |
- Ціна: 88,75 ₴

