IRF7104TRPBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: DUAL P: Uси: 20 В: Iс (25 ° C): 2.3 А: Rсі (вкл): 0.25 ... 0.4 Ом: @
![IRF7104TRPBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: DUAL P: Uси: 20 В: Iс (25 ° C): 2.3 А: Rсі (вкл): 0.25 ... 0.4 Ом: @, фото 1](https://images.prom.ua/7435863346_irf7104trpbf-mosfet-silovij.jpg)
85 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00031799
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IRF7104TRPBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: DUAL P: Uси: 20 В: Iс (25 ° C): 2.3 А: Rсі (вкл): 0.25 ... 0.4 Ом: @
![IRF7104TRPBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: DUAL P: Uси: 20 В: Iс (25 ° C): 2.3 А: Rсі (вкл): 0.25 ... 0.4 Ом: @](https://images.prom.ua/7435863346_w640_h640_irf7104trpbf-mosfet-silovij.jpg)
85 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IRF7104TRPBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: DUAL P: Uси: 20 В: Iс (25 ° C): 2.3 А: Rсі (вкл): 0.25 ... 0.4 Ом: @ Uзатв (ном): 4.5 ... 10 В: Uзатв (макс): 12 В
| Додаткові характеристики | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Rds(On) (Макс.) при _x000D_ Id, Vgs | 250 мОм за 1 А, _x000D_ 10 В |
| Vgs(th) (макс.) при _x000D_ Id | 3 В при 250 мкА |
| Артикул | 00-00031799 |
| Вхідна ємність (Ціс.) _x000D_ (макс.) за Vds | 290пФ при 15В |
| Конфігурація | 2 P-канала _x000D_ (подвійний) |
| Корпус | SO-8 |
| Потужність — Макс. | 2 Вт |
| Напруга _x000D_ стік-висток (Vdss) | 20 В |
| Плата за ворота (Qg) _x000D_ (Макс.) за Vgs | 25 нК за 10 В |
| Продукт | МОП-транзистор |
| Виробник | INFIN |
| Робоча температура | От -55°C до 150°C _x000D_ (ТДж) |
| Струм — безперервний, _x000D_ злив (Id) за 25 °C | 2,3А |
- Ціна: 85 ₴
