CRST040N10N SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.3mΩ, 120A

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
CRST040N10N Транзистор польовий MOSFET
SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.3mΩ, 120A
| Додаткові характеристики | |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00077502 |
| Корпус | TO-220 |
| Потужність розсіювання _x000D_ (Pd - Power Dissipation) | 227 Вт |
| Напруга стік-висток _x000D_ (Drain to Source Voltage) | 100 В |
| Порогова напруга _x000D_ затвора (Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)) | 4 В |
| Постійний струм стоку _x000D_ (Current - Continuous Drain(Id)) | 120 А |
| Опір _x000D_ стік-висток (RDS(on)) | не вказано |
| Тип | 1 N-канальний |
- Ціна: 70 ₴

