IRFR4105PBF MOSFET силовий транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс (25 ° C): 25 А: Rсі (вкл): 45 мом: @ Uзатв (ном): 10 В:

58,75 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴

+380 (97) 037-75-90

або пишіть на і-мейл або чат

58,75 ₴

В наявності

+380 (97) 037-75-90

або пишіть на і-мейл або чат

+380 (97) 037-75-90або пишіть на і-мейл або чат
+380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
+380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
Днем замовлення вважається той день, коли підтвердили менеджеру! А не той день, коли оформили замовл
вул Академіка Павлова 120, Харків, Україна

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця

Опис

Характеристики

Інформація для замовлення

IRFR4105PBF Транзистор польовий MOSFET

MOSFET силовий транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс (25 ° C): 25 А: Rсі (вкл): 45 мом: @ Uзатв (ном): 10 В: Uзатв ( макс): 20 В

Основні
Виробник	Infineon
Додаткові характеристики
Стан	Новий
Користувальницькі характеристики
Id — безперервний струм витоку	25 A
Pd — розсіювання потужності	48 W
Qg - заряд затвора	22.7 nC
Rds Вмик — опір стік-висток	45 mOhms
Vds — напруга пробою стік-висток	55 V
Vgs — напруга затвор-висток	20 V
Артикул	00-00032221
Вид монтажа	SMD/SMT
Час наростання	49 ns
Час спаду	40 ns
Висота	2.3 mm
Довжина	6.5 mm
Інші назви товару No	SP001552188
Канальний режим	Enhancement
Категорія продукту	МОП-транзистор
Кількість каналів	1 Channel
Конфігурація	Single
Корпус	TO-252-3
Максимальна робоча температура	+ 175 C
Мінімальна робоча температура	- 55 C
Полярність транзизора	N-Channel
Технологія	Si
Тип	HEXFET Power MOSFET
Тип транзизора	1 N-Channel
Типовий час затримки вимкнення	31 ns
Типовий час затримки під час увімкнення	7 ns
Ширина	6.22 mm