HYG025N06LS1C2 60V 170A 2.1mΩ@10V 130W 2.1V 1 N-channel DFN-8(5.2x5.9) MOSFETs
53,75 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00078920
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
HYG025N06LS1C2 60V 170A 2.1mΩ@10V 130W 2.1V 1 N-channel DFN-8(5.2x5.9) MOSFETs
53,75 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
HYG025N06LS1C2 Транзистор польовий MOSFET
60V 170A 2.1mΩ@10V 130W 2.1V 1 N-channel DFN-8(5.2x5.9) MOSFETs
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00078920 |
| Вхідна ємність (Ciss) | 3.915 нФ при 0 В |
| Заряд затвора (Qg) | 59.5 нКл при 10 В |
| Корпус | DFN-8 (5.2×5.9 мм) |
| Напруга стік-висток _x000D_ (Vds) | 60 В |
| Зворотна прохідна _x000D_ ємність (Crss) | 10.2 пФ |
| Порогова напруга _x000D_ затвора (Vgs(th)) | 2.1 В |
| Постійний струм стоку _x000D_ (Id) | 170 А |
| Розсіювана потужність _x000D_ (Pd) | 130 Вт |
| Опір _x000D_ стік-висток (RDS(on)) | 2.1 мΩ за 10 В |
| Температура _x000D_ експлуатації | от -55 °C до _x000D_ +175 °C |
| Тип | 1 N-канальний |
- Ціна: 53,75 ₴
