IRF5803D2PBF Транзистор: P-MOSFET, польовий, -40В, -3,4А, 2Вт

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IRF5803D2PBF Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: P-MOSFET, польовий, -40В, -3,4А, 2Вт
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Артикул | 00-00031759 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Заряд затвора | 25 nC |
| Кількість каналів | 1 Channel |
| Максимальна робоча _x000D_ температура | + 150 C |
| Мінімальна робоча _x000D_ температура | - 55 C |
| Напруга _x000D_ Затвор-висток | - 20 V, + 20 V |
| Напруга пробою _x000D_ стік-висток | 40 V |
| Безперервний струм _x000D_ утечки | 3.4 A |
| Полярність _x000D_ транзизора | P-Channel |
| Розсіювання потужності | 2 W |
| Опір _x000D_ стік-висток | 190 mOhms |
| Технологія | Si |
- Ціна: 25 ₴

