MMBFJ309LT1G RF JFET, N CHANNEL, 25V, SOT-23: Breakdown Voltage Vbr: -25V: Gate-Source Cutoff Voltage Vgs (off) Max: -4V: Power

20 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00032508
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
MMBFJ309LT1G Транзистор польовий MOSFET
RF JFET, N CHANNEL, 25V, SOT-23: Breakdown Voltage Vbr: -25V: Gate-Source Cutoff Voltage Vgs (off) Max: -4V: Power Dissipation Pd: 225mW
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Vds — напруга пробою затвор-висток | 25 V |
| Vds — напруга пробою стік-висток | 25 V |
| Артикул | 00-00032508 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категорія продукту | JFET |
| Конфігурація | Single |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Полярність транзизора | N-Channel |
| Серія | MMBFJ309L |
| Тип | JFET |
| Струм стоку за Vgs=0 | 12 mA to 30 mA |
- Ціна: 20 ₴

