SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор польовий: P Channel: Drain Source Voltage Vds: -60V: On Resistance Rds (on): 285mohm: Rds (on) Test
18,75 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00051186
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор польовий: P Channel: Drain Source Voltage Vds: -60V: On Resistance Rds (on): 285mohm: Rds (on) Test
18,75 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор польовий: P Channel: Drain Source Voltage Vds: -60V: On Resistance Rds (on): 285mohm: Rds (on) Test Voltage Vgs: -10V: Operating Temperature Range: -55 ° C to + 150 ° C
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Id — безперервний струм витоку | 1.2 A |
| Pd — розсіювання потужності | 1 W |
| Rds Вмик — опір стік-висток | 345 mOhms |
| Vds — напруга пробою стік-висток | 60 V |
| Vgs — напруга затвор-висток | 20 V |
| Артикул | 00-00051186 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Час наростання | 35 ns |
| Час спаду | 35 ns |
| Канальний режим | Enhancement |
| Категорія продукту | МОП-транзистор |
| Кількість каналів | 1 Channel |
| Конфігурація | Single |
| Максимальна робоча температура | + 150 C |
| Мінімальна робоча температура | - 55 C |
| Полярність транзизора | P-Channel |
| Тип | SOT-23-3 |
| Типовий час затримки вимкнення | 15 ns |
| Типовий час затримки під час увімкнення | 40 ns |
- Ціна: 18,75 ₴
