MMBT6520LT1G Біполярний транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЕ (макс): 350 В: IК (макс): 50 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 40 МГц:
![MMBT6520LT1G Біполярний транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЕ (макс): 350 В: IК (макс): 50 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 40 МГц:, фото 1](https://images.prom.ua/7430296764_mmbt6520lt1g-bipolyarnij-tranzistor.jpg)
13,75 ₴
- В наявності
- Код: 00-00032524
Компанія тимчасово не приймає замовлення
MMBT6520LT1G Біполярний транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЕ (макс): 350 В: IК (макс): 50 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 40 МГц:
![MMBT6520LT1G Біполярний транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЕ (макс): 350 В: IК (макс): 50 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 40 МГц:](https://images.prom.ua/7430296764_w640_h640_mmbt6520lt1g-bipolyarnij-tranzistor.jpg)
13,75 ₴
В наявностіповернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
MMBT6520LT1G Транзистор біполярний
Біполярний транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЕ (макс): 350 В: IК (макс): 50 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 40 МГц: h21: 30 ... 200
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — розсіювання потужності | 225 mW |
| Артикул | 00-00032524 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Висота | 0.94 mm |
| Довжина | 2.9 mm |
| Категорія продукту | Біполярні транзистори — BJT |
| Колектор постійного струму/Мін. коеф. посилення транзизора (hfe) | 20 |
| Конфігурація | Single |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Коефіцієнт посилення по постійному струму (hFE), макс. | 200 |
| Максимальна робоча температура | + 150 C |
| Максимальний постійний струм колектора | 0.5 A |
| Мінімальна робоча температура | - 55 C |
| Напруга колектор-база (VCBO) | - 350 V |
| Напруга колектор-емітер (VCEO), макс. | - 350 V |
| Напруга насичення колектор-емітер | - 1 V |
| Напруга еміттер-база (VEBO) | 5 V |
| Безперервний колекторний струм | - 0.5 A |
| Полярність транзизора | PNP |
| Серія | MMBT6520L |
| Ширина | 1.3 mm |
- Ціна: 13,75 ₴
