IRLMS6702TRPBF MOSFET транзистор: P-канал, 20 В, 200 мОм

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IRLMS6702TRPBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET транзистор: P-канал, 20 В, 200 мОм
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Id — постійний струм _x000D_ стока | 2,3 А |
| Pd — втрати потужності | 1,7 Вт |
| Qg - заряд затвора | 5,8 нКл |
| Rds включен – _x000D_ опір стік-висток | 200 мОм |
| Vds — напруга _x000D_ пробою стік-висток | 20 В |
| Vgs th — порожеве _x000D_ напруга затвора-висток | 4 В |
| Vgs — напруга _x000D_ Затвор-висток | — 12 В, +12 В |
| Артикул | 00-00032396 |
| Кількість каналів | 1 канал |
| Корпус | TSOP-6 |
| Максимальна робоча _x000D_ температура | + 150 °C |
| Мінімальна робоча _x000D_ температура | - 55 С. |
| Монтаж | SMD/SMT |
| Полярність _x000D_ транзизора | P-канал |
| Продукт | МОП-транзистор |
- Ціна: 13,75 ₴

