IRFD9110PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: P: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 5.6 А: Rсі (вкл): 1.2 Ом: @ Uзатв (ном): 4.5 В:
![IRFD9110PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: P: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 5.6 А: Rсі (вкл): 1.2 Ом: @ Uзатв (ном): 4.5 В:, фото 1](https://images.prom.ua/6935137212_irfd9110pbf-mosfet-silovij.jpg)
100 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00032032
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IRFD9110PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: P: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 5.6 А: Rсі (вкл): 1.2 Ом: @ Uзатв (ном): 4.5 В:
![IRFD9110PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: P: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 5.6 А: Rсі (вкл): 1.2 Ом: @ Uзатв (ном): 4.5 В:](https://images.prom.ua/6935137212_w640_h640_irfd9110pbf-mosfet-silovij.jpg)
100 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IRFD9110PBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: P: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 5.6 А: Rсі (вкл): 1.2 Ом: @ Uзатв (ном): 4.5 В: Uзатв (макс): 20 В
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 1.3W (Ta) |
| Місткість затвора | 200 pF @ 25 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 10V |
| Заряд затвора | 8.7 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 100 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 0.7 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 1.2Ohm @ 420mA 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | HD1 |
- Ціна: 100 ₴
