IRF7422D2PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P with Schottky: Uси: 20 В: Rсі (вкл): 0.09 ... 0.14 Ом: @ Uзатв
![IRF7422D2PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P with Schottky: Uси: 20 В: Rсі (вкл): 0.09 ... 0.14 Ом: @ Uзатв, фото 1](https://images.prom.ua/6935133255_irf7422d2pbf-mosfet-silovij.jpg)
110 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00031851
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IRF7422D2PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P with Schottky: Uси: 20 В: Rсі (вкл): 0.09 ... 0.14 Ом: @ Uзатв
![IRF7422D2PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P with Schottky: Uси: 20 В: Rсі (вкл): 0.09 ... 0.14 Ом: @ Uзатв](https://images.prom.ua/6935133255_w640_h640_irf7422d2pbf-mosfet-silovij.jpg)
110 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IRF7422D2PBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P with Schottky: Uси: 20 В: Rсі (вкл): 0.09 ... 0.14 Ом: @ Uзатв (ном): 2.7 ... 4.5 В: Uзатв ( макс): 12 В: Qзатв: 6 нКл
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Тип корпусу | SO8 |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 2W (Ta) |
| Місткість затвора | 610 pF @ 15 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 2.7V 4.5V |
| Заряд затвора | 22 nC @ 4.5 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±12V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 20 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 4.3 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 700mV @ 250µA (Min) |
| Опір каналу у відкритому стані | 90mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Структура | P-Channel |
- Ціна: 110 ₴
