IPP60R099P7 Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 20А, 117Вт

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IPP60R099P7 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 20А, 117Вт
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 117 W |
| Місткість затвора | 1952 pF @ 400 V |
| Заряд затвора | 45 nC |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 600 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 31 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 530µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 0.099 Ohm |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | PG-TO220-3 |
- Ціна: 300 ₴

