IPD050N03LGATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30В, 50А, 68Вт
156,25 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00054698
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IPD050N03LGATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30В, 50А, 68Вт
156,25 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IPD050N03LGATMA1 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30В, 50А, 68Вт
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 68W (Tc) |
| Місткість затвора | 3200 pF @ 15 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 31 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 155 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 30 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 50 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 2.2V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 5mOhm @ 30A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-252 |
- Ціна: 156,25 ₴
