IPD031N06L3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 60В, 100А, 167Вт
353,75 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00054693
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IPD031N06L3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 60В, 100А, 167Вт
353,75 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IPD031N06L3GATMA1 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, польовий, 60В, 100А, 167Вт
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 167W (Tc) |
| Місткість затвора | 13000 pF @ 30 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 79 nC @ 4.5 V |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 60 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 100 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 2.2V @ 93µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 3.1mOhm @ 100A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-252 |
- Ціна: 353,75 ₴
